蔡司双束电镜Crossbeam高通量三维分析FIB-SEM
品牌: ZEISS蔡司
型号: FIB-SEM
产地: 德国
| Crossbeam飞秒激光系统数据 | |
| 切割率 | 1,5000,000 μm3/s(对于硅) |
| 扫描速度 | 0.1-9000 mm/s |
| 扫描区域尺寸 | 40 x40 mm |
| 最大样品尺寸 | 对于8 mm 高的样品(直接安装在激光支架上):30x30 mm正方形/75x20 mm长方形/直径 32 mm 园形 |
| 对于 4.8 mm 高的样品(安装在 3.2 mm 高的标配样品盘上):36x36 mm 正方形/75 x26 mm 长方形/直径 39 mm 圆形 | |
| 激光安全等级 | 1 |
| 光学元件 | |
| 焦距 | f=100 mm(远心) |
| 激光 | |
| 类型 | 半导体泵浦固体激光器、晶体光纤 |
| 平均激光功率 | 10 W @ 1 MHz |
| 每脉冲峰值功率 | >29 MW(标称能量下) |
| 最大脉冲能量 | 10 μJ @ 1 MHz |
| 脉冲持续时间 | <350 fs(标称能量下,sech2-fit) |
| 波长 | 515 nm(绿色) |
| 脉冲重复率 | 0.1 kHz-1 MHz |
| 焦点直径 | <15μm |
| 瑞利长度 | 50μm |
| 光束质量 | M2<1.2 |
| 最大焦点调整 | 6 mm (±3 mm) |
| 样品上的激光定位 | |
| 校准过程 | 专用样品夹带高精度标记，可在扫描电子显微镜和激光切割系统之间确定共用坐标系。标记位置的半自动对齐过程确保扫描电子显微镜和激光之间的校准。 |
| 精度 | <在 25 x25 mm 的中心扫描区域内 <15 μm,在附加偏移校正的局部区域内<2 um |
| 标配功能 | |
| Burst 模式可提高切割速度，改进因材料不同而对加工性能产生的影响 激光配方库 为 LaserMi 软件编写脚本，以方便操作 利用 cross-jet 对大批量样品进行去除处理，具有高效的参数优化和清晰的光路 | |
| 可选功能 | |
| 在激光仓室和主仓室之间进行样品自动传输 无需高精度或样品尺寸超过推荐值时，外置导航摄像头可在大型样品上快速定位 金相样品夹,可安装直径达 30 mm、高达 12 mm 的样品 | |
使您的SEM具备强大的洞察力
使用Gemini电子光学系统从高分辨率扫描电子显微镜（SEM）图像中获取真实的样品信息。
在进行敏感表面二维成像或三维断层扫描时，Crossbeam的SEM性能值得您信赖。
加速电压非常低时也可获得高分辨率、高衬度和高信噪比的清晰图像。
借助一系列探测器实现样品的全方位表征。使用独特的Inlens EsB探测器获得更纯的材料成分衬度。
研究不受荷电伪影干扰的非导电样品。
提升您的FIB样品制备效率
智能FIB扫描策略快速且精准，移除材料比以往实验快40%以上。
Ion-sculptor FIB镜筒采用了一种全新的加工方式：您可以尽可能减少样品损伤，提升样品质量，从而加快实验进程。
使用高达100 nA的离子束束流，高效而精准地处理样品，并保持高FIB分辨率。
制备TEM样品时使用Ion-sculptor FIB的低电压功能，以获得超薄样品，同时尽可能降低非晶化损伤。
在您的FIB-SEM分析中体验出色的三维空间分辨率
体验整合的三维EDS和EBSD分析所带来的优势。
在切割、成像或执行三维分析时，Crossbeam将提升您的FIB应用效率。
使用我们快速准确的断层扫描及分析软硬件包蔡司Atlas 5来扩展您的Crossbeam的性能。
使用Atlas 5中集成的三维分析模块可在断层扫描的过程中进行EDS和EBSD分析。
尽享FIB-SEM断层扫描中优异的三维空间分辨率和各向同性的三维体素尺寸。使用Inlens EsB探测器探测小于3 nm的深度，并可获得表面敏感的材料成分衬度图像。
在切割过程中收集连续切片图像以节省时间。可追踪的三维体素尺寸和图像质量自动控制流程让您获益匪浅。
应用
材料科学中的应用
开发新材料、理解并调整其物理和化学特性。探索来自纳米科学、工程和能源材料的应用实例。了解Crossbeam如何进行样品的二维和三维制备、成像和分析。生命科学中的应用
了解Crossbeam在生命科学研究不同领域中的应用。电子元件和半导体中的应用
了解Crossbeam在电子和半导体制造领域的应用。